IXTY1R4N60P

IXYS

IXTY1R4N60P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9Ohm @ 700mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPolarHV™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность50W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)