IXTY1R4N100P

IXYS

IXTY1R4N100P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

Электрические

Напряжение сток-исток1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность63W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)