Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V |
|---|---|
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Depletion |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 1000 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 60W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | TO-252AA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|