IXTY02N50D

IXYS

IXTY02N50D

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 200MA TO252

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30Ohm @ 50mA, 0V
Базовый Part NumberIXTY02
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds120 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияDepletion
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.1W (Ta), 25W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)