IXTX4N300P3HV

IXYS

IXTX4N300P3HV

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3680 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolar P3™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток3000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность960W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяTO-247PLUS-HV

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)