IXTX40P50P

IXYS

IXTX40P50P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11500 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolarP™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность890W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяPLUS247™-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)