IXTV18N60P

IXYS

IXTV18N60P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

УстаревшийTO-220-3, Short TabАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияPolarHV™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность360W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3, Short Tab
Корпус производителяPLUS220

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)