IXTV110N25TS

IXYS

IXTV110N25TS

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

УстаревшийPLUS-220SMDАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность694W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CasePLUS-220SMD
Корпус производителяPLUS-220SMD

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)