Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30Ohm @ 50mA, 0V |
|---|---|
| Базовый Part Number | IXTU02 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120 pF @ 25 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | Depletion |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус производителя | TO-251AA |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|