IXTT1N250HV-TRL

IXYS

IXTT1N250HV-TRL

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV

В производствеTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40Ohm @ 750mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность250W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Корпус производителяTO-268HV (IXTT)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)