IXTT16P60P

IXYS

IXTT16P60P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 600V 16A TO268

В производствеTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs720mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5120 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPolarP™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность460W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Корпус производителяTO-268AA

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)