IXTT16N50D2

IXYS

IXTT16N50D2

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 16A TO268

В производствеTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 8A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5250 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияDepletion
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность695W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Корпус производителяTO-268AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)