Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 8A, 0V |
|---|---|
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | Depletion |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 830W (Tc) |
| Package / Case | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-268AA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|