IXTT12N140

IXYS

IXTT12N140

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

УстаревшийTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3720 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность890W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Корпус производителяTO-268AA