IXTR210P10T

IXYS

IXTR210P10T

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 105A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds69500 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияTrenchP™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C195A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность595W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяISOPLUS247™

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)