IXTR16P60P

IXYS

IXTR16P60P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs790mOhm @ 8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5120 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolarP™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность190W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяISOPLUS247™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)