IXTQ50N20P

IXYS

IXTQ50N20P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 50A TO3P

В производствеTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2720 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность360W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3P

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)