IXTQ44N50P

IXYS

IXTQ44N50P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 44A TO3P

В производствеTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5440 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность658W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3P

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)