IXTQ110N055P

IXYS

IXTQ110N055P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 110A TO3P

УстаревшийTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2210 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность390W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3P

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)