IXTP02N120P

IXYS

IXTP02N120P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75Ohm @ 100mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds104 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность33W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)