IXTN5N250

IXYS

IXTN5N250

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B

В производствеSOT-227-4, miniBLOCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8Ohm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8560 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность700W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Корпус производителяSOT-227B

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)