IXTN30N100L

IXYS

IXTN30N100L

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

В производствеSOT-227-4, miniBLOCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 15A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
СерияLinear
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность800W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Корпус производителяSOT-227B

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)