IXTN200N10T

IXYS

IXTN200N10T

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B

В производствеSOT-227-4, miniBLOCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
СерияTrench
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность550W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Корпус производителяSOT-227B

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)