IXTN17N120L

IXYS

IXTN17N120L

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

В производствеSOT-227-4, miniBLOCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 8.5A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8300 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
СерияLinear
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность540W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Корпус производителяSOT-227B

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)