IXTN110N20L2

IXYS

IXTN110N20L2

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B

В производствеSOT-227-4, miniBLOCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23000 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
СерияLinear L2™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 3mA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность735W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Корпус производителяSOT-227B

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)