IXTL2X200N085T

IXYS

IXTL2X200N085T

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK

УстаревшийISOPLUSi5-Pak™Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Базовый Part NumberIXTL2X200
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600pF @ 25V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияTrenchMV™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток85V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C112A
Power - Max150W

Механические

КорпусTube
Package / CaseISOPLUSi5-Pak™
Корпус производителяISOPLUSi5-Pak™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)