IXTK22N100L

IXYS

IXTK22N100L

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1000V 22A TO264

В производствеTO-264-3, TO-264AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 11A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7050 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияLinear
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность700W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
Корпус производителяTO-264 (IXTK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)