IXTK170N10P

IXYS

IXTK170N10P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 170A TO264

В производствеTO-264-3, TO-264AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6000 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность715W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
Корпус производителяTO-264 (IXTK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)