IXTK120P20T

IXYS

IXTK120P20T

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 200V 120A TO264

В производствеTO-264-3, TO-264AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 60A, 10V
Базовый Part NumberIXTK120
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds73000 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияTrenchP™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
Корпус производителяTO-264 (IXTK)