IXTI12N50P

IXYS

IXTI12N50P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 12A TO262

УстаревшийTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1830 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияPolar™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность200W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус производителяTO-262 (I2PAK)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)