IXTI10N60P

IXYS

IXTI10N60P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 10A TO262

УстаревшийTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs740mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1610 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииУстаревший
СерияPolarHV™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность200W (Tc)

Механические

Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Корпус производителяTO-262 (I2PAK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)