IXTH96N20P

IXYS

IXTH96N20P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 96A TO247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность600W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 (IXTH)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)