IXTH90P10P

IXYS

IXTH90P10P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 100V 90A TO247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 45A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5800 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPolarP™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность462W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 (IXTH)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)