IXTH50N25T

IXYS

IXTH50N25T

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 250V 50A TO247

УстаревшийTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияTrench
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность400W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 (IXTH)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)