IXTH36P10

IXYS

IXTH36P10

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 100V 36A TO247

УстаревшийTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 18A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность180W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 (IXTH)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)