IXTH2N150L

IXYS

IXTH2N150L

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1500V 2A TO247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 1A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1470 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияLinear
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id8.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность290W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 (IXTH)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)