IXTH12N100L

IXYS

IXTH12N100L

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 500mA, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияLinear
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность400W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 (IXTH)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)