IXTC26N50P

IXYS

IXTC26N50P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

УстаревшийISOPLUS220™Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияPolarHV™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность130W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseISOPLUS220™
Корпус производителяISOPLUS220™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)