IXTC160N10T

IXYS

IXTC160N10T

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220

УстаревшийISOPLUS220™Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияTrenchMV™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C83A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность140W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseISOPLUS220™
Корпус производителяISOPLUS220™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)