IXTC13N50

IXYS

IXTC13N50

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220

УстаревшийISOPLUS220™Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность140W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseISOPLUS220™
Корпус производителяISOPLUS220™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)