IXTA80N10T7

IXYS

IXTA80N10T7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7

УстаревшийTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3040 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchMV™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность230W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Корпус производителяTO-263-7 (IXTA)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)