IXTA7N60P

IXYS

IXTA7N60P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Базовый Part NumberIXTA7
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1080 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность150W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)