Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 3A, 0V |
|---|---|
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2650 pF @ 10 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Depletion |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 1000 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tj) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | TO-263HV |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|