IXTA4N80P

IXYS

IXTA4N80P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)