IXTA4N150HV

IXYS

IXTA4N150HV

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1500V 4A TO263

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1576 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность280W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)