IXTA2N100P

IXYS

IXTA2N100P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1000V 2A TO263

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds655 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPolar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность86W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)