Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 800mA, 0V |
|---|---|
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Depletion |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | TO-263AA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|