IXTA1N170DHV

IXYS

IXTA1N170DHV

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16Ohm @ 500mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3090 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияDepletion
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Электрические

Напряжение сток-исток1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность290W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263HV

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)