IXS839BQ2

IXYS

IXS839BQ2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN

Устаревший10-VFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberIXS839
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 15ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)2A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)24 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2V
Напряжение питания4.5V ~ 5.5V

Механические

КорпусTube
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
Корпус производителя10-QFN (3x3)

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TJ)