IXKR25N80C

IXYS

IXKR25N80C

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 18A, 10V
Базовый Part NumberIXKR25
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs355 nC @ 10 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

Электрические

Напряжение сток-исток800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяISOPLUS247™

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)